Классификация транзисторов по функциональному назначению

Транзисторы. Классификация, характеристики, принцип действия и назначение.

Транзи́стор (англ. transistor), полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.

Классификация:

1.По основному полупроводниковому материалу:

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металлические выводы, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «металл-окисел-полупроводник»). Однако основными являются транзисторы на основе кремния, германия, арсенида галлия.

Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе, например, прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры.

2.1.1 n-p-n структуры, «обратной проводимости».

2.1.2 p-n-p структуры, «прямой проводимости»

В биполярном транзисторе носители заряда движутся от эмиттера через тонкую базу к коллектору. База отделена от эмиттера и коллектора pn переходами. Ток протекает через транзистор лишь тогда, когда носители заряда инжектируются из эмиттера в базу через pn переход. В базе они являются неосновными носителями заряда и легко проникают через другой pn переход между базой и коллектором, ускоряясь при этом. В самой базе носители заряда движутся за счет диффузионного механизма, поэтому база должна быть достаточно тонкой. Управления током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которой зависят условия инжекции носителей заряда в базу.

2.2.1 с p-n переходом

2.2.2 с изолированным затвором

В полевом транзисторе ток протекает от истока до стока через канал под затвором. Канал существует в легированном полупроводнике в промежутке между затвором и нелегированной подложкой, в которой нет носителей заряда, и она не может проводить ток. Преимущественно под затвором существует область обеднения, в которой тоже нет носителей заряда благодаря образованию между легированным полупроводником и металлическим затвором контакта Шоттки. Таким образом ширина канала ограничена пространством между подложкой и областью обеднения. Приложенное к затвору напряжение увеличивает или уменьшает ширину области обеднения и, тем самым, ширину канала, контролируя ток.

2.4. Криогенные транзисторы (на эффекте Джозефсона

2.5. Многоэмиттерные транзисторы

2.6. Баллистические транзисторы

2.7. Одномолекулярный транзистор

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:

3.1маломощные транзисторы до 100 мВт

3.2транзисторы средней мощности от 0,1 до 1 Вт

3.3мощные транзисторы (больше 1 Вт).

4. По исполнению:

4.1 дискретные транзисторы:

4.1.1.1 Для свободного монтажа;

4.1.1.2 Для установки на радиатор;

4.1.1.3 Для автоматизированных систем пайки.

4.2 транзисторы в составе интегральных схем.

5. По материалу и конструкции корпуса:

6.1 Одноэлектронные транзисторы содержат квантовую точку (т. н. «остров») между двумя туннельными переходами. Ток туннелирования управляется напряжением на затворе, связанном с ним ёмкостной связью.[5]

Характерестики:

Принцип действия:

В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Назначение:

Вне зависимости от типа транзистора, принцип применения его един:

Источник питания питает электрической энергией нагрузку, которой может быть громкоговоритель, реле, лампа накаливания, вход другого, более мощного транзистора, электронной лампы и т. п. Именно источник питания даёт нужную мощность для «раскачки» нагрузки.

Транзистор же используется для ограничения силы тока, поступающего в нагрузку, и включается в разрыв между источником питания и нагрузкой. То есть транзистор представляет собой некий вариант полупроводникового резистора, сопротивление которого можно очень быстро изменять.

Выходное сопротивление транзистора меняется в зависимости от напряжения на управляющем электроде. Важно то, что это напряжение, а также сила тока, потребляемая входной цепью транзистора, гораздо меньше напряжения и силы тока в выходной цепи. Таким образом, за счёт контролируемого управления источником питания достигается усиление сигнала.

Если мощности входного сигнала недостаточно для «раскачки» входной цепи применяемого транзистора, или конкретный транзистор не даёт нужного усиления, применяют каскадное включение транзисторов, когда более чувствительный и менее мощный транзистор управляет энергией источника питания на входе более мощного транзистора. Также подключение выхода одного транзистора ко входу другого может использоваться в генераторных схемах типа мультивибратора. В этом случае применяются одинаковые по мощности транзисторы.

Транзистор применяется в:

1.Усилительных схемах. Работает, как правило, в усилительном режиме. Существуют экспериментальные разработки полностью цифровых усилителей, на основе ЦАП, состоящих из мощных транзисторов.Транзисторы в таких усилителях работают в ключевом режиме.

2.Генераторах сигналов. В зависимости от типа генератора транзистор может использоваться либо в ключевом (генерация прямоугольных сигналов), либо в усилительном режиме (генерация сигналов произвольной формы).

3.Электронных ключах. Транзисторы работают в ключевом режиме. Ключевые схемы можно условно назвать усилителями (регенераторами) цифровых сигналов. Иногда электронные ключи применяют и для управления силой тока в аналоговой нагрузке. Это делается, когда нагрузка обладает достаточно большой инерционностью, а напряжение и сила тока в ней регулируются не амплитудой, а шириной импульсов. На подобном принципе основаны бытовые диммеры для ламп накаливания и нагревательных приборов, а также импульсные источники питания.

Классификация и обозначение транзисторов, правила монтажа и эксплуатации

Транзисторыпредставляют собой полупроводниковые прибо­ры с двумя или более р—«-переходами, позволяющие усиливать электрические сигналы и имеющие три и более выводов.

Транзисторы подразделяются на биполярные и униполярные <�по­левые) (рис. 2.33).

Биполярные транзисторы имеют трехслойную структуру с че­редующимися типами электропроводности. Различают также пря­мые (р—п—р) и обратные (п—р—п) транзисторы (рис. 2.34). Каж­дый слой имеет вывод: эмиттер Э, базу (или основание) Б и кол­лектор К. Переход между базой и эмиттером называется эмиттер-ным, а между базой и коллектором — коллекторным.

В зависимости от общего электрода используются три схемы включения транзисторов: с общим эмиттером ОЭ (для обеспече­ния наибольшего усиления), с общей базой ОБ (для достижения наибольшей стабильности в работе) и с общим коллектором ОК (для обеспечения высокого входного и низкого выходного сопро­тивлений) (рис. 2.35).

Транзисторы предназначены для генерации, усиления и пре­образования электрических сигналов. В импульсных схемах они ра­ботают в режиме «ключа», когда транзистор может находиться только в двух состояниях: включенном (открытом), либо выклю­ченном (закрытом). Переход из одного состояния в другое проис­ходит очень быстро, что отвечает основным требованиям боль­шого быстродействия.

По конструкции полевые транзисторы различают с управляю­щим р—л-переходом и с изолированным затвором с встроенным или индуцированным каналом (рис. 2.36). У таких транзисторов электрод, от которого начинают движение основные носители за­ряда, называется истоком; электрод, к которому движутся ос­новные носители заряда, — стоком, а электрод, к которому прикладывают управляющее напряжение, — затвором.

По материалу изготовления транзисторы бывают кремниевые или германиевые; по механизму движения носителей заряда — диф­фузионные, или дрейфовые.

Униполярные (биполярные) транзисторы могут быть маломощ­ными СР_тах

Кроме того, транзисторы различают по мощности и частоте. В зависимости от максимальной мощности Р_ктах, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, среднечастотные, вы­сокочастотные и сверхвысокочастотные.

В настоящее время используется система обозначения транзис­торов, состоящая из четырех элементов.

Первый элемент— буква или цифра — обозначает материал тран­зистора (Г или 1 — германий или его соединения; К или 2 — крем­ний или его соединения; А или 3 — галлий или его соединения).

Второй элемент— буква — обозначает тип транзистора (Т — биполярные транзисторы; П — полевые транзисторы).

Третий элемент— цифра — указывает назначение и качествен­ные свойства прибора (табл. 2.13), а также порядковый номер раз­работки.

Четвертый элемент— буква — обозначает разновидность типа прибора (деление на параметрические группы).

Так, например, КТ324А обозначает кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность А; ГТ905Б — германиевый большой мощности высокочастотный транзистор, разновидность Б.

Условное обозначение третьего элемента транзисторов

Классификация транзисторов.

По основному полупроводниковому материалу.

Помимо основного полупроводникового материала, применяемого обычно в виде монокристалла, транзистор содержит в своей конструкции легирующие добавки к основному материалу, металлические выводы, изолирующие элементы, части корпуса (пластиковые или керамические). Иногда употребляются комбинированные наименования, частично описывающие материалы конкретной разновидности (например, «кремний на сапфире» или «металл-окисел-полупроводник»). Однако основными материалами транзисторов являются кремний, германий и арсенид галлия. Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались. В настоящее время имеются транзисторы на основе прозрачных полупроводников для использования в матрицах дисплеев. Перспективный материал для транзисторов — полупроводниковые полимеры.

Биполярные транзисторы — трёх электродные полупроводниковые приборы. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают n-p-n и p-n-p транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). Работа биполярного транзистора основана на переносе зарядов одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки. Делятся на:

· p-n-p «прямой проводимости»

· n-p-n «обратной проводимости»

Рис. 3. Обозначение биполярных транзисторов на схемах.

Полевые транзисторы — полупроводниковые приборы, через которые протекает поток основных носителей зарядов, регулируемый поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным между затвором и стоком или между затвором и истоком. Делятся на:

С затвором в виде p-n-перехода:

· С каналом n-типа.

· С каналом р-типа.

С изолированным затвором(В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как, по причине изолированного управляющего электрода (затвора) такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.):

· Со встроенным каналом.

· С индуцированным каналом.

Рис.4. Обозначение полевых транзисторов на схеме.

Другие разновидности транзисторов.

· Однопереходный транзистор (двухбазовый диод) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольтамперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

· Фототранзисторы — оптоэлектронные полупроводниковые приборы, вариант биполярного транзистора. Отличаются от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения. Фототранзисторы имеют структуру n-p-n или p-n-p транзистора и могут усиливать ток. едостаткнедостатк

· Транзисторы со встроенными резисторами— биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами.

· Транзистор Дарлингтона, пара Шиклаи — комбинация двух биполярных транзисторов, работающая как биполярный транзистор с высоким коэффициентом усиления по току.

· на транзисторах одной структуры

· на транзисторах разной структуры

· Лямбда-диод — двухполюсник, комбинация из двух полевых транзисторов, имеющая, как и туннельный диод, значительный участок с отрицательным сопротивлением.

· Биполярный транзистор, управляемый полевым транзистором с изолированным затвором — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами

Классификация транзисторов по рассеиваемой в виде тепла мощности.

Классификация и система обозначений транзисторов

Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор, второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов, третий (цифра) — основные функциональные возможности транзистора, четвертый (число) — обозначает порядковый номер разработки технологического типа транзистора, пятый (буква) — условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

● Г, или 1, — германий или его соединения;

● К, или 2, — кремний или его соединения;

● А, или 3, — соединения галлия (арсенид галлия);

● И, или 4, — соединения индия.

Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т — биполярные и П — полевые транзисторы.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры:

● для транзисторов малой мощности

(максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3 МГц;

2 — с граничной частотой 3…30 МГц;

3 — с граничной частотой более 30 МГц;

● для транзисторов средней мощности (0,3…1,5 Вт):

4 — с граничной частотой не более 3 МГц;

5 — с граничной частотой З…ЗО МГц;

6 — с граничной частотой более 30 МГц;

● для транзисторов большой мощности (более 1,5 Вт):

7 — с граничной частотой не более 3 МГц;

8 — с граничной частотой 3…30 МГц;

9 — с граничной частотой более 30 МГц.

Для обозначения порядкового номера разработки используют двузначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превышает число 99, то применяется трехзначное число от 101 до 999.

В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков. В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

● цифры от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

● буква С — для обозначения наборов в общем корпусе (транзисторные сборки);

● цифра, написанная через дефис, для бескорпусных транзисторов:

● 1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя;

● 2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе;

● 3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя;

● 4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе;

● 5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов;

● 6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.

Примеры обозначения приборов:

КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (см рисунок в начале статьи).

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время, имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент обозначения

— буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП — для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент

— двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

● от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;

● от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;

● от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы;

● от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;

● от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

● от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

● от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;

● от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Третий элемент

обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Классификация и система обозначений биполярных транзисторов

Система обозначений современных типов транзисторов установле­на отраслевым стандартом ОСТ 11336.919–81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или бук­ва) обозначает исходный полупро­водниковый материал, на основе ко­торого изготовлен транзистор. Второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов. Третий элемент (цифра) – основные функ­циональные возможности транзи­стора, четвертый элемент (число) обозначает порядковый номер разра­ботки технологического типа транзи­стора, пятый элемент (буква) условно определяет классификацию по параметрам метрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного мате­риала используются следующие сим­волы:

Г или 1–германий или его со­единения;

К или 2–кремний или его со­единения;

А или 3 – соединения галлия (арсенид галлия);

И или 4 – соединения индия.

Для обозначения подклассов используется Т – биполярные и П – полевые транзи­сторы.

Для обозначения наиболее харак­терных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следую­щие цифры:

— для транзисторов малой мощно­сти (максимальная мощность, рас­сеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1. с граничной частотой коэф­фициента передачи тока или макси­мальной рабочей частотой (далее гра­ничной частотой) не более 3 МГц;

2. с граничной частотой З. 30 МГц;

3. с граничной частотой более 30 МГц.

4. Для транзисторов средней мощ­ности (0,3. 1,5 Вт);

5. с граничной частотой не более 3 МГц;

6. с граничной частотой З. 30 МГц;

7. с граничной частотой более 30 МГц.

8. Для транзисторов большой мощ­ности (более 1,5 Вт):

9. с граничной частотой не более 3 МГц;

10. с граничной частотой З. 30 МГц;

11. с граничной частотой более 30 МГц.

— для обозначения порядкового но­мера разработки используют дву­значное число от 01 до 99. Если по­рядковый номер разработки превы­шает число 99, то применяется трехзначное число от 101 до 999.

В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда допол­нительных знаков. В качестве дополнительных эле­ментов обозначения используют сле­дующие символы:

— цифры от 1 до 9–для обозначе­ния модернизаций транзистора, при­водящих к изменению его конструкции.

— буква С–для обозначения набо­ров в общем корпусе (транзисторные сборки);

— цифра, написанная через дефис, для бескорпусных транзисторов:

1. с гибкими выводами без кри­сталлодержателя;

2. с гибкими выводами на кри­сталлодержателе;

3. с жесткими выводами без кристаллодержателя;

4. с жесткими выводами на кри­сталлодержателе;

5. с контактными площадками без кристаллодержателя и без выво­дов;

6. с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выво­дов.

Примеры обозначения приборов:

КТ937А-2 – кремниевый бипо­лярный, большой мощности, высоко­частотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе.

Биполярные транзисторы, разра­ботанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент обозначения – буква П, характеризующая класс би­полярных транзисторов, или две бук­вы МП – для транзисторов в корпу­се, герметизируемом способом хо­лодной сварки.

Второй элемент – одно-, двух- или трехзначное число, которое оп­ределяет порядковый номер разра­ботки и указывает на подкласс тран­зистора по роду исходного полупро­водникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

от 1 до 99 – германиевые мало­мощные низкочастотные транзи­сторы;

от 101 до 199 – кремниевые ма­ломощные низкочастотные транзи­сторы;

от 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзи­сторы;

от 301 до 399 – кремниевые мощ­ные низкочастотные транзисторы;

от 401 до 499 – германиевые вы­сокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 501 до 599 – кремниевые вы­сокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 601 до 699 – германиевые вы­сокочастотные и СВЧ мощные тран­зисторы;

от 701 до 799 – кремниевые вы­сокочастотные и СВЧ мощные тран­зисторы.

Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутст­вовать) – буква, условно определяю­щая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по еди­ной технологии.

Условные обозначения биполяр­ных транзисторов приведены в таблице 1.1.3.

Основные параметры, обозначения и маркировка отечественных транзисторов

Транзистор — один из самых распространённых элементов радиоаппаратуры. Есть полевые и биполярные транзисторы. У полевых транзисторов управление происходит с помощью электрического поля. Они имеют три вывода: исток, затвор и сток (иногда корпус). У биполярного транзистора соответственно: эмиттер, база и коллектор, (иногда тоже есть корпусной вывод).

Основная классификация транзисторов

Основная классификация транзисторов ведется по материалу, мощности, проводимости, частоты…

По мощности транзисторы делят на транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — низкочастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные.

По исходному полупроводниковому материалу — германиевые и кремниевые.

Основные параметры

биполярных и полевых транзисторов

U_КБО — максимально допустимое напряжение коллектор — база;

U_{КБО И} — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база;

U_КЭО — максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер;

U_{КЭО И} — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер;

U_КЭН — напряжение насыщения коллектор — эмиттер;

U_{СИ max} — максимально допустимое напряжение сток — исток;

U_СИО — напряжение сток — исток при оборванном затворе;

U_{ЗИ max} — максимально допустимое напряжение затвор — исток;

U_{ЗИ ОТС} — Напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-n переходом, и с изолированным затвором);

U_{ЗИ ПОР} — Пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с изолированным затвором и п-каналом);

I_{K max} — максимально допустимый постоянный ток коллектора;

I_{K max и} — максимально допустимый импульсный ток коллектора;

I_{C max} — максимально допустимый постоянный ток стока;

I_{C нач} — начальный ток стока;

I_{C ост} — остаточный ток стока;

I_КБО — обратный ток коллектора;

Р_{К max} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;

Р_{К max т} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;

Р_{СИ max} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток — исток;

H_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;

R_{СИ ОТК} — сопротивление сток — исток в открытом состоянии;

S — крутизна характеристики;

f_ГР. — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

К_Ш — коэффициент шума биполярного (полевого) транзистора;

Цоколевка биполярных и полевых транзисторов

Система обозначений

По старой системе обозначений, введенной ещё до 1964 г. в обозначение транзистора входит буква и цифры. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например, П416 Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП 39 Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1 элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть:

• Г или 1 — германий,
• К или 2 — кремний,
• А или 3 — арсенид галлия,
• И или 4 — индий.

2 элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3 элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Рmах 1,5 Вт:

7 — большой мощности низкочастотный;
8 — большой мощности среднечастотный;
9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (frp > 300 Гц).

4 элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5 элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б.

П О П У Л Я Р Н О Е:

Диод — один из самых популярных элементов в радиоаппаратуре. Справочник по импортным диодам поможет вам быстро найти подходящую замену при неимении оригинала. Вы сможете быстрее устранить неисправность в современной аппаратуре и вернуть её к «жизни».

Таблица определения типа транзистора по цветовой маркировке Подробнее…

Основные параметры отечественных биполярных транзисторов от КТ306 до КТ3168

Транзисторы очень часто используются в радиоаппаратуре и популярны в радиолюбительских конструкциях. Биполярные транзисторы имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор, у некоторых (обычно высокочастотных) имеется четвертый вывод — корпусной.